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Cree新式封装让LED大放光亮

时间:2018-08-04编辑: admin 点击率:

  Cree新式封装让LED大放光亮

  美国LED大厂CREE向美国专利商标局(USPTO)请求的20080272386号专利,已于十一月揭露,内容是运用激光克扣或切削(laser ablation or sawing)技能直接在碳化硅(SiC)基板上刻出凹槽(trenches),再利用旋转涂布法将半导体纳米晶体或荧光粉等荧光资料填入凹槽中,在凹槽间构成一个凸面桥,这个办法能够让白光LED变得更小、更简单制作。

  这些荧光填充物能把SiC基板上的GaN LED所宣告的窄频域蓝光,变换成宽带谱的白光。专利发明人Peter Andrews指出,与现在将LED置于杯状基座(submount)中并以光变换资料封装的技能比较,在基板上刻蚀出凹槽是一大发展,由于前者会约束白光LED的最小尺度。为了帮忙光脱离LED,厂商会改动基座的形状并进步其反射率,而Cree的凹槽规划也有进步光萃取率的效果。

  Andrews指出,除了传统LED运用的荧光粉外,在凹槽中引入硒化镉(CdSe)等半导体纳米微晶,也有助于操控发光波长。Cree主张以喷墨(inkjet)印刷、网印(screen printing)与喷枪(airbrush)运用体系替代常见的旋涂法,将这类新颖资料填入凹槽中。

  虽然选用新的波长变换资料并增加了凹槽规划,LED裸晶仍保有传统的规范电极结构,因而可继续封装成LED,或直接那来运用,例如直接被固定在电路板或基板上作运用。

  Cree在十一月宣告,巨细为1 mm×1 mm高功率白光LED的发光功率可高达161 lm/W。关于这项新记载,Cree表明这是晶粒与封装技能提高的成果。该公司表明,他们行将出产这种具有纪录优势的LED,将继续在出产过程中导入立异技能,预期一年内将开端量产这种高效能的LED。

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