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我国第三代半导体资料制作设备获得新打破

时间:2018-09-24编辑: admin 点击率:

  我国第三代半导体资料制作设备获得新打破

  

近来,863方案先进制作技能领域“大尺度SiC资料与器材的制作设备与工艺技能研究”课题通过了技能检验。

  

一般,世界上把碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体资料称之为第三代半导体资料。其在禁带宽度、击穿场强、电子饱满漂移速度、热导率等归纳物理特性上具有愈加杰出的归纳优势,特别在抗高电压、高温等方面功能尤为显着,因为第三代半导体资料的制作配备对设备真空度、高温加热功能、温度控制精度以及高功能温场散布、设备可靠性等直接影响SiC单晶衬底质量和成品率的要害技能有很高的要求,长期以来限制着我国第三代半导体资料的规模化、工业化开展。

  

在国家863方案的支持下,由新疆天科合达蓝光半导体有限公司牵头,中科院物理研究所、半导体研究所、浙江大学等单位一起参加的研制团队成功研制了满意高压SiC电力电子器材制作所需的4-6英寸SiC单晶成长炉要害配备,形成了我国具有自主知识产权的4-6英寸SiC单晶成长炉要害配备系统。所研制的4-6英寸通用型SiC单晶炉,完成了“零微管”(微管密度<1个/cm2)4英寸SiC单晶衬底和低缺点密度的6英寸SiC单晶衬底的制备技能,把握了相关外延工艺技能,成长出12μm、17μm、35μm、100μm等不同厚度的SiC外延晶片,并制备了1200V、1700V、3300V、8000V碳化硅二极管系列产品。已在市场上批量推行运用。

  

满意高压电力电子器材制作所需的4-6英寸通用型SiC单晶成长炉及其配套成长工艺的成功研制,有用促进了碳化硅衬底、外延、器材等制作技能的前进,提高了国内碳化硅工业链的全体设计能力和制作水平,对推进第三代半导体资料、器材工业开展,下降工业链本钱,提高我国宽禁带半导体工业的中心世界竞争力具有重要的现实意义。(来历:科技部)

  

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